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对比
50N06
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TO-252
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
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商品型号
50N06 -
商品编号
50N06 -
商品封装
TO-252 -
分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 产品类型 | 采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于多种应用。 | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.928nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 141pF | |
| 封装/外壳 | TO-252 |
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