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CRSE120N10L2
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CRSE120N10L2

  • SOIC-8

  • 品牌名称CRMICRO(华润微)
  • 商品型号

    CRSE120N10L2
  • 商品编号

    CRSE120N10L2
  • 商品封装

    SOIC-8
  • 分类

    场效应管(MOSFET)

  • 商品参数

属性 参数值
商品目录 场效应管(MOSFET)
产品类型 特性:使用CRM(CQ)先进的SkyMOS2技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积(FOM)。 符合JEDEC标准。应用:AC/DC快速充电器的同步整流。 电池管理
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 115V
连续漏极电流(Id) 11A
导通电阻(RDS(on)) 11mΩ@10V
耗散功率(Pd) 2.8W
阈值电压(Vgs(th)) 1.8V
栅极电荷量(Qg) 28.2nC@10V
输入电容(Ciss) 1.618nF
反向传输电容(Crss) 22pF
工作温度 -55℃~+150℃
输出电容(Coss) 277pF
封装/外壳 SOIC-8

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