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对比
GBS65060TOB
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TO-247
- 品牌名称GOSEMICON
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商品型号
GBS65060TOB -
商品编号
GBS65060TOB -
商品封装
TO-247 -
分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 产品类型 | 650V高压超结MOSFET实现超低导通电阻和栅极电荷。由于开关性能和传导性能之间的出色平衡，在谐振开关拓扑中提供非常高的效率。超快恢复体二极管使其适用于高开关频率应用，并支持高功率密度应用。采用TO-247封装。 | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 329W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF | |
| 封装/外壳 | TO-247 |
梯度
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(单位：0个)-
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起订量： 个
