温馨提示
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
-
收藏
-
对比
GT750P10K
-
TO-252
- 品牌名称GOFORD
-
商品型号
GT750P10K -
商品编号
GT750P10K -
商品封装
TO-252 -
分类
场效应管(MOSFET)
-
商品参数
|
|
属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 产品类型 | 特性：VDS：-100V。 ID (at VGS = -10V)：-24A。 RDS(ON) (at VGS = -10V)：< 75mΩ。 RDS(ON) (at VGS = -4.5V)：< 90mΩ。 100%雪崩测试。 符合RoHS标准。应用：电源开关。 DC/DC转换器 | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V | |
| 封装/外壳 | TO-252 |
数据手册PDF
参数完善中
梯度
含税售价
库存总量
(单位：0个)-
仓库库存数量
0
购买数量
个
起订量： 个
