收藏网址
|
0731-111111
|
18574781111
|
专属客服

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

IRLML0060
商品缩略图
商品缩略图
商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

  • 收藏
    收藏
  • 对比
    对比

IRLML0060

  • SOT-23L

  • 品牌名称HUASHUO(华朔)
  • 商品型号

    IRLML0060
  • 商品编号

    IRLML0060
  • 商品封装

    SOT-23L
  • 分类

    场效应管(MOSFET)

  • 商品参数

属性 参数值
商品目录 场效应管(MOSFET)
产品类型 IRLML0060 是高单元密度的沟槽式 N 沟道 MOSFET,能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。IRLML0060 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,且经过全面的功能可靠性认证。
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 3A
导通电阻(RDS(on)) 80mΩ@10V
耗散功率(Pd) 1.5W
阈值电压(Vgs(th)) 1.2V
栅极电荷量(Qg) 5nC@4.5V
输入电容(Ciss) 511pF
反向传输电容(Crss) 25pF
工作温度 -55℃~+150℃
封装/外壳 SOT-23L

数据手册PDF

梯度
含税售价

库存总量

(单位:0个)
  • 仓库库存数量

    0

购买数量

个
起订量: 个
总价金额: ¥

热门推荐

  • 11N10-VB TO252

    11N10-VB TO252

    品牌
    VBsemi
    封装
    TO-252
    ¥1.729
  • 09N03L-VB

    09N03L-VB

    品牌
    VBsemi
    封装
    TO-252
    ¥1.339
  • 11N65C3-VB TO220F

    11N65C3-VB TO220F

    品牌
    VBsemi
    封装
    TO-220F
    ¥5.512
  • 100N03NF

    100N03NF

    品牌
    GOODWORK
    封装
    PDFN5x6-8
    ¥1.20384
  • 120N03

    120N03

    品牌
    HL
    封装
    TO-252
    ¥0.5643
  • 120N03F

    120N03F

    品牌
    HL
    封装
    PDFN5x6-8L
    ¥0.9579
  • 100P03

    100P03

    品牌
    HL
    封装
    TO-252
    ¥1.8973
  • 120N10

    120N10

    品牌
    GOODWORK
    封装
    TO-263
    ¥7.28
© 2026 好的 版权所有