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对比
VBL1101M
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TO-263(D2PAK)
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
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商品型号
VBL1101M -
商品编号
VBL1101M -
商品封装
TO-263(D2PAK) -
分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 产品类型 | 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要散热性能较好的应用。TO263；N—Channel沟道,100V；20A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V； | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF | |
| 封装/外壳 | TO-263(D2PAK) |
梯度
含税售价
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(单位：0个)-
仓库库存数量
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