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对比
VBL1101N
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TO-263(D2PAK)
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
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商品型号
VBL1101N -
商品编号
VBL1101N -
商品封装
TO-263(D2PAK) -
分类
场效应管(MOSFET)
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商品参数
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属性 | 参数值 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 产品类型 | 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，采用Trench工艺制造，具有较高的漏极电流能力和低导通电阻，适合用于电源逆变器中的开关电路等领域。TO263；N—Channel沟道,100V；100A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V； | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 665pF | |
| 封装/外壳 | TO-263(D2PAK) |
梯度
含税售价
库存总量
(单位：0个)-
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个
起订量： 个
